《EETimes》未来PCM出货量可超越DRAM

2021年8月30日，美国著名电子技术类杂志《EE Times》发表文章，题为新型存储取代NOR和SRAM，及3D Xpoint成长的挑战 (Emerging Memories Look to Displace NOR, SRAM – 3D Xpoint’s growth won’t be without challenges.)

报道开篇指出：新型存储正蓄势待发，迎来新一波的成长高潮。

据权威分析机构预测，到2031年，新型存储将达到440亿美金的市场。新型存储将在MCU，ASIC甚至CUP里，以“独立”或“嵌入式”的形式，全面取代现有存储产品，包括NOR闪存，SRAM和DRAM。

相变存储PCM技术是新型存储的主要组成之一，代表产品是Intel基于相变存储技术的3D XPoint 存储器 – 傲腾/Optane。文章预测3D XPoint 年销售额可达到200亿美元，这和去年的一篇报道遥相呼应，将帮助PCRAM的成长。同时，文章也指出了PCM成长所面临的挑战。

客观分析（Objective analysis）的主任分析师Jim Handy指出：目前Intel的傲腾是唯一的商业化产品，傲腾DIMMs 吸引人的地方在于它价格比DRAM便宜，根据Intel报道，每GB价格便宜近一半。根据权威分析机构预测，独立式存储器，年PB（petabyte – 1peta=1E15）的出货量，PCM 3D XPoint将在2028年达到1E5 PB，和DRAM持平，并在未来超过DRAM。

当然，新型存储也包括MRAM，ReRAM等其他新型存储技术，文章对MRAM和ReRAM也有相关描述。新型存储对现有存储技术的替代是全方位的。文章的另一幅图表也再次强调，PCM将有效的填补和替代DRAM和NAND之间的差距。

原版英文文章可点击以下链接查看：

https://www.eetimes.com/emerging-memories-look-to-displace-nor-sram/