发展PCRAM为代表的新型存储势在必行
美国对中国崛起的扼制并没有随着特朗普的下台而减弱，反而在拜登上台后愈演愈烈，尤其是在核心科技上，美国对中国的扼制更为加剧，而半导体产业则首当其冲地被作为扼制的重点。近日，有传言美国将对14nm工艺以下的相关技术对华封锁，诚如是，中国的半导体产业将更加举步维艰。
在中国发展半导体产业的问题上，台湾半导体教父、台积电创始人张仲谋并不看好【1】，理由有三，一是中国缺乏发展半导体的人才和培训机制，二是发展半导体的关键设备被美国所限制，三是中国无法逾越及解决发展半导体的核心技术专利。虽然许多人不认同这种观点，但作为业内人士，都知道这是发展中不可回避的问题。
时代芯存作为一家历经十年发展、致力于存储器发展的公司，非常清楚张先生所阐述问题的严重性。目前，以DRAM和闪存为代表的第三代存储器已发展了近50年，中国目前发展难度极大，如何解决专利壁垒将是中国DRAM和闪存企业在产品上市后面临的无法绕开的问题。另外，第三代的存储技术目前已越来越不适应于满足现代物联网及人工智能的需求。存储墙问题的存在、内存不具备非易失性、外存微缩艰难等问题将极大地限制半导体产业的发展【2】。而新兴存储能够在技术上很好地解决上述问题，尤其是PCM存储技术，在英特尔、美光、意法半导体等国际半导体巨头的推动下，已大批量进入市场，为PCM的发展开启了良好的路径。
另外，在以DRAM和闪存为代表的第三代存储技术和市场被三星、SK、海力士、美光等存储巨头垄断，国产厂商想要进入该市场难上加难，而要突破技术壁垒几乎是不可能，但新型存储产业尚未成熟，机遇大于挑战，产业布局上相对于传统的DRAM和NAND FLASH，新型存储尚未形成行业垄断，存储技术也尚未形成壁垒，更为重要的是像PCM这样的新型存储技术并不需要特别先进的工艺制成，其设备受限制较少，因此我国在这一领域具有换道超车的可能【3】。
时代芯存从事PCM技术研发超过十年，积累了丰富的PCM存储技术和经验，储备了一大批优秀的、经验丰富的工程师，现在工厂具备产能产线，产品也已下线，未来必将为国家做出自己应有的贡献。（文/张龙董事长）
【1】内容相关观点摘自：《张忠谋：大陆举国之力也造不出高端芯片》
【2】现有存储的困境节选自：《国产存储的困境，该如何破解》
【3】新型存储的优势与机遇节选自：《国产存储的困境，该如何破解》
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