中国新型芯片打破美韩技术垄断,速度超1000倍 耐用性高10000倍

      时至如今，世界各国之间的竞争在尖端技术领域愈明显，其中小小的芯片无疑非常具有代表性的。

      仅仅在芯片开发后的半个世纪，芯片就变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器中都有它的存在。而芯片的核心技术一直都是被国外所掌握，中国一直都是依靠进口芯片来发展自身的高科技产品，而中国进口芯片的费用已经高达2000亿美金，这是多么令人震惊的数字。

      经过我国无数科研工作者夜以继日的付出和努力研究出的新型芯片是55纳米的相变存储芯片，这就是我国在集成电路领域的一次相当大的突破。我国也成为了美国和韩国这两个国家之后第3个拥有相变存储技术的国家了，并且拥有着自己完整的知识产权。这项成功在国际上也引起了轰动，这项技术实际上是国际公认的第4代存储技术，一旦实现量产的话，可以比过去的芯片速度要快上千倍，耐用性也要提高上万倍，也是被行业内的人士认为可以支撑30年左右的全新技术。

      这项技术的研发团队曾简单地向外界描述了技术原理，原来，这种存储技术是通过存储原料在晶态和非晶态下形成导电性差异，以完成对于有关数据的存储工作。和过去的技术比较，其最大优势不仅仅在于运行速度，而且相变存储技术所研发制造的存储器在体积方面会极大程度的减小。形象一点说，就是可以将原来足足有三个足球场大小的存储器转化为一个不到二十平方米的房子里，无论是实用性还是便携性都完全不可同日而语。

      这些芯片的诞生，对于我们国家来说意义也非同一般，代表着我们国家终于打破了长期以来国外的技术封锁，非常让人振奋，甚至制造这款芯片的相关核心技术已经通过了将近60项专利，还有140多项正在等待审核通过。

      相信我们国家一定会更加的繁荣富强！